[发明专利]具有倾斜侧面的铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺无效
| 申请号： | 201010131562.1 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101807647A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 林素慧;蔡家豪;郑建森;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开的具有倾斜侧面的铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，提供一衬底，在衬底的顶面形成一分布布拉格反射层，在分布布拉格反射层上形成第一型磊晶层，在第一型磊晶层上形成发光层，在发光层上形成第二型磊晶层；在第二型磊晶层上形成P电极，在衬底的底面形成N电极，构成一LED芯片；采用干蚀刻方法沿上述LED芯片顶面至底面方向以倾斜角度切割其侧面，再用激光对LED芯片的底面进行切割，最后用钻石刀将LED芯片底部的侧面切穿，则在LED芯片的四周形成倾斜面；本发明具有可以增加出射光线，减少光线折射或反射次数，进而提高发光效率等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 倾斜 侧面 铝镓铟磷系 发光二极管 制作 工艺 | ||
【主权项】：
具有倾斜侧面的铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，包括下列步骤：1)提供一衬底；2)在衬底的顶面形成一分布布拉格反射层；3)在分布布拉格反射层上形成第一型磊晶层；4)在第一型磊晶层上形成发光层；5)在发光层上形成第二型磊晶层；6)在第二型磊晶层上形成P电极；7)在衬底的底面形成N电极，构成一LED芯片；8)采用干蚀刻方法沿上述LED芯片顶面至底面方向以倾斜角度切割其侧面；9)再用激光对LED芯片的底面进行切割；10)最后用钻石刀将LED芯片底部的侧面切穿，则在LED芯片的四周形成倾斜面。
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