[发明专利]一种错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器无效
| 申请号： | 201010131673.2 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101826594A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王淑芳;陈景春;傅广生;陈明敬;何立平;于威;李晓苇 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L35/28 | 分类号： | H01L35/28;H01L35/22 |
| 代理公司： | 石家庄汇科专利商标事务所 13115 | 代理人： | 王琪 |
| 地址： | 071002 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器，属于薄膜光探测器设备技术领域，所要解决的技术问题是提供一种通过在斜切氧化物单晶基底上生长一层c轴取向的错配层钴氧化合物热电薄膜所制成的光探测器，其技术方案是：它由斜切的氧化物单晶基片和c轴取向的错配层钴氧化合物热电薄膜组成，c轴取向的错配层钴氧化合物热电薄膜采用脉冲激光沉积技术或金属有机沉积技术生长在斜切的氧化物单晶基片上，在薄膜表面有两个用热蒸发、磁控溅射或脉冲激光沉积技术沉积在薄膜表面的电极，两个电极分别通过电极引线与电压信号输出端相连接。本发明提供的错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器的优点是制备简单、成本低廉、响应波段宽、响应灵敏度高和响应时间快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 错配层钴 氧化 热电 薄膜 探测器 | ||
【主权项】：
一种错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器，其特征在于：它由斜切的氧化物单晶基片(1)和c轴取向的错配层钴氧化合物热电薄膜(2)组成，c轴取向的错配层钴氧化合物热电薄膜(2)采用脉冲激光沉积技术或金属有机沉积技术生长在斜切的氧化物单晶基片(1)上，在薄膜表面有两个用热蒸发、磁控溅射或脉冲激光沉积技术沉积在薄膜表面的电极，两个电极分别通过电极引线与电压信号输出端相连接。
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