[发明专利]芯片上电容有效

专利信息
申请号: 201010132948.4 申请日: 2010-03-24
公开(公告)号: CN102201407A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 王钊 申请(专利权)人: 北京中星微电子有限公司
主分类号: H01L27/08 分类号: H01L27/08;H01L29/92;H01L23/522
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种电容,其包括第一导电层、与第一导电层平行间隔设置的第二导电层、与第一导电层电性连接的向第二导电层延伸的多个平行间隔设置的第一导电部、与第二导电层电性连接的向第一导电层延伸的多个平行间隔设置的第二导电部。其中第一导电部和第二导电部相互平行且间隔交替地形成阵列,每个导电部形成于至少三个层上,这样扩大了导电部之间的相对面积,大大的增加了电容值,从而在单位晶圆面积上提高了电容密度。
搜索关键词: 芯片 电容
【主权项】:
一种电容,其特征在于,其包括:第一导电层;与第一导电层平行间隔设置的第二导电层;与第一导电层电性连接的向第二导电层延伸的多个平行间隔设置的第一导电部;与第二导电层电性连接的向第一导电层延伸的多个平行间隔设置的第二导电部,其中各第二导电部与各第一导电部平行间隔设置;其中第一导电部和第二导电部形成一个阵列,第一导电部和第二导电部在所述阵列的一个边缘方向上交替排布,第一导电部和第二导电部在所述阵列的另一个边缘方向上也交替排布。
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