[发明专利]芯片上电容有效
申请号: | 201010132948.4 | 申请日: | 2010-03-24 |
公开(公告)号: | CN102201407A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 北京中星微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08;H01L29/92;H01L23/522 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种电容,其包括第一导电层、与第一导电层平行间隔设置的第二导电层、与第一导电层电性连接的向第二导电层延伸的多个平行间隔设置的第一导电部、与第二导电层电性连接的向第一导电层延伸的多个平行间隔设置的第二导电部。其中第一导电部和第二导电部相互平行且间隔交替地形成阵列,每个导电部形成于至少三个层上,这样扩大了导电部之间的相对面积,大大的增加了电容值,从而在单位晶圆面积上提高了电容密度。 | ||
搜索关键词: | 芯片 电容 | ||
【主权项】:
一种电容,其特征在于,其包括:第一导电层;与第一导电层平行间隔设置的第二导电层;与第一导电层电性连接的向第二导电层延伸的多个平行间隔设置的第一导电部;与第二导电层电性连接的向第一导电层延伸的多个平行间隔设置的第二导电部,其中各第二导电部与各第一导电部平行间隔设置;其中第一导电部和第二导电部形成一个阵列,第一导电部和第二导电部在所述阵列的一个边缘方向上交替排布,第一导电部和第二导电部在所述阵列的另一个边缘方向上也交替排布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的