[发明专利]一种纳米级尺寸结构测量方法及装置

摘要

本发明公开了一种纳米级尺寸结构测量方法及装置，可以同时测量纳米级尺寸结构宽度、深度、侧墙角等参数。本发明方法步骤如下：将白光光束经滤光、起偏后垂直投射到包含纳米级尺寸结构的样件表面；采集样件表面反射信号，计算得到纳米级尺寸结构显微成像图；将测量离焦扫描成像分布图与理论离焦扫描成像分布图进行匹配，提取得到待测纳米级尺寸结构的几何参数值。本发明所提供的纳米级尺寸结构测量装置，能为纳米制造技术如传统光刻和纳米压印等基于图形转移的批量化制造技术中所涉及的各种典型纳米级尺寸结构，如孤立线条阵列结构、密集型线条阵列结构提供一种非接触、非破坏性、低成本、快速测量手段。

主权项

一种纳米级尺寸结构测量方法，其特征在于：第1步白光光束经滤光、起偏后垂直投射到包含纳米级尺寸结构的样件表面，投射到样件表面的线性偏振光束波长为400～600nm；第2步投射光束经样件表面反射，利用置于样件共轭面上的电荷耦合器接收该反射信号，计算得到纳米级尺寸结构的显微成像图；第3步将样件在最佳焦平面附近垂直移动，得到不同离焦位置的纳米级尺寸结构的显微成像图；第4步将各离焦位置的显微成像图按离焦量进行组合，得到该纳米级尺寸结构的测量离焦扫描成像分布图；第5步对不同类型的纳米级尺寸结构进行仿真，得到纳米级尺寸结构对应的理论离焦扫描成像分布图；第6步将测量离焦扫描成像分布图与理论离焦扫描成像分布图进行匹配，提取得到待测纳米级尺寸结构的几何参数值。