[发明专利]一种栉花竹芋的组培快速繁殖方法

摘要

本发明公开了一种栉花竹芋的组培快速繁殖方法。以栉花竹芋的新生地下侧芽为外植体，经过外植体消毒、芽启动培养、芽增殖培养、生根培养，形成完整的植株小苗，将完整小苗驯化、移栽到育苗基质中，长成正常的栉花竹芋植株。本发明的栉花竹芋组培快速繁殖方法，地下侧芽培养13d即可启动新芽萌发，每个地下侧芽可分化芽数为2.8个，经过35d培养增殖系数达3.2，生根率达92％，移栽成活率达95％。本发明通过组培快速繁殖技术实现了对栉花竹芋单株的保存，克服了栉花竹芋育苗周期太长、繁殖系数低的问题，可进行种苗工厂化大规模生产，以适应市场对栉花竹芋的需求。

主权项

一种栉花竹芋的组培快速繁殖方法，其特征在于包括如下步骤：1)外植体的选择与消毒：取栉花竹芋新生地下侧芽为外植体，剥去展开的叶片和叶鞘，用水冲洗干净，切除基部木质化组织，将侧芽切成1.0～1.5cm的幼芽，用水冲洗20～30min，在无菌条件下用70％酒精消毒20～30s，再用0.1％升汞消毒12～16min，无菌水冲洗3～5次，放入瓶中备用；2)幼芽启动培养：在无菌操作台上，从瓶中取出步骤1)中的幼芽，剥去与药液接触而受伤的最外层苞叶，接种于幼芽启动培养基上进行启动培养，培养周期为28～35d，培养温度为23～27℃，光照时间为12～16h/d，光照强度为2000～3000lux；3)芽增殖培养：将步骤2)中1.0～1.5cm的幼芽切下，分成单株转接到芽增殖培养基中进行增殖培养，增殖继代周期为28～35d，培养温度为23～27℃，光照时间为12～16h/d，光照强度为2000～3000lux；4)生根培养：将步骤3)中2.5～3.5cm的丛生芽切下，接种到生根培养基上进行生根培养，培养周期为30～35d，培养温度为23～27℃，光照时间为12～16h/d，光照强度为2000～3000lux；5)植株的驯化与移栽：将步骤4)中得到的完整小苗连瓶置于自然光照下闭口炼苗，10～15d后取出，洗净附着的培养基，置于1000倍多菌灵溶液中浸泡20～30s，然后移栽于体积比为5∶1的泥炭土和蛭石的混合基质中，喷雾保湿80％～90％，遮荫75％～85％，保温20～25℃培养。