[发明专利]一种用于制备显示器的衬底及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010133618.7 申请日: 2010-03-15
公开(公告)号: CN101789388A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 彭俊华;郭海成;凌代年;邱成峰;黄飚;黄宇华 申请(专利权)人: 广东中显科技有限公司
主分类号: H01L21/71 分类号: H01L21/71;H01L21/20
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇
地址: 528225 广东省佛山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种多晶硅薄膜材料及其制备方法。本发明首先在衬底的一个表面上制备P型非晶硅薄膜,经退火晶化成多晶硅薄膜后进行N-掺杂工艺,从而形成适用于太阳能电池的多晶硅薄膜,然后在衬底的另一个表面上制备非晶硅薄膜,对其晶化以获得适用于显示器的多晶硅薄膜,这样,在衬底的正反两个表面上就集成了适用于太阳能电池和适用于显示器的多晶硅薄膜。
搜索关键词: 一种 用于 制备 显示器 衬底 及其 方法
【主权项】:
一种制备用于显示器的衬底的方法,包括如下步骤:a)在衬底的一个表面上制备一层1-5微米厚的第一导电类型的第一非晶硅薄膜;b)将该第一导电类型的第一非晶硅薄膜晶化成适用于太阳能电池的第一多晶硅薄膜;c)将该第一导电类型的第一多晶硅薄膜的一部分掺杂成第二导电类型,由此形成具有PN结的第一多晶硅薄膜层;d)在所述衬底的另一个表面上制备一层阻挡层;e)在该阻挡层上制备一层30-100纳米厚的第二非晶硅层;f)将该第二非晶硅层晶化成适用于显示器的第二多晶硅薄膜层。
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