[发明专利]陶瓷镀铜基板制造方法及其结构无效
申请号: | 201010134056.8 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN102208352A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 胡泉凌;陈誉尉;林舜天;蔡镇隆 | 申请(专利权)人: | 佑每佑科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/15 |
代理公司: | 北京高默克知识产权代理有限公司 11263 | 代理人: | 陆式敬 |
地址: | 塞舌尔共和国马埃岛柏*** | 国省代码: | 塞舌尔;SC |
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摘要: | 本发明涉及一种陶瓷镀铜基板制造方法及其结构,其包含:选定一陶瓷基板;利用溅镀制程在陶瓷基板表面形成一镍金属层;将一铜金属层镀膜于镍金属层上;应用压膜、曝光显影与蚀刻制程等方式来形成线路图案;以及把铜金属层上的抗蚀刻干膜剥除形成一陶瓷镀铜基板。本发明的陶瓷基板表面先进行溅镀镍金属层,使其表面金属化或完成镀通孔壁作用,而镍金属层可与铜金属层共享相同的蚀刻药水来制作线路图案,故具有一般性印刷电路板的制程考虑,有效减化制程并且降低材料及制造成本,亦有效地提升陶瓷基板与各金属镀层之间的抗撕离或黏合强度,藉以强化整体的结构强度。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 镀铜 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
一种陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于包含以下步骤:选定一陶瓷基板;利用溅镀制程在上述陶瓷基表面形成一镍金属层;将一铜金属层以镀膜方式成型于上述镍金属层上;应用压膜、曝光显影与蚀刻制程等方式来形成线路图案;以及将铜金属层上的抗蚀刻干膜剥除形成一陶瓷镀铜基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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