[发明专利]评估掩模相关误差源的系统和方法有效
| 申请号： | 201010134631.4 | 申请日： | 2010-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN101957557A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 莱维·法维舍维斯基;瑟基·赫日斯托;埃米尔·莫什·萨基乌;舍缪尔·孟甘 | 申请（专利权）人： | 以色列商·应用材料以色列公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 评估掩模相关误差源，包括(i)接收表示在不同曝光条件下获得的掩模多个图像的数据；(ii)对于掩模每个图像的多个子帧计算每个子帧像素强度函数的值以提供多个计算值；和(iii)响应于计算值和响应于函数对每个误差源的敏感度检测误差源。 | ||
| 搜索关键词： | 评估 相关 误差 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种评估掩模相关误差源的方法，该方法包括：接收表示掩模多个图像的数据，该多个图像在不同曝光条件下获得；对于多个图像多个子帧中的每个子帧计算子帧像素强度函数以提供多个计算值；和基于计算值和基于函数对每个误差源的敏感度检测误差源。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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