[发明专利]多晶硅片制绒方法有效
申请号: | 201010134689.9 | 申请日: | 2010-03-19 |
公开(公告)号: | CN101876088A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 屈莹 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C23F1/24;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 周祥生 |
地址: | 213200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶硅片制绒方法,包括低温高浓度酸液制绒、常温低浓度酸液制绒、稀碱洗、去除离子及钝化。本发明为多晶硅片制绒提供了更为适宜的酸性处理液和腐蚀制绒工艺条件,使得硅片表面的机械损伤层清除和制绒更易控制,能精确控制硅片表面织构化程度和硅片的减薄量,能缩短制绒时间,提高电池片的制绒成品率;进而可降低表面反射率,增加光的吸收,增大短路电流,提高了电池的光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 多晶 硅片 方法 | ||
【主权项】:
一种多晶硅片制绒方法,其包括以下步骤:酸制绒,稀碱洗,去除离子及钝化,其特征在于:所述酸制绒包括依次实施的低温高浓度酸制绒和常温低浓度酸制绒两个步骤,二步酸制绒所用酸性处理液均为硝酸、氢氟酸和纯水的混合酸溶液。
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