[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201010135436.3 | 申请日： | 2005-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101789421A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 团野忠敏;长峰彻;森博志;市之濑吏 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/66;H01L23/48;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郑菊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种小型化的半导体器件，其具有封装衬底；半导体芯片，安装在封装衬底的主表面上，并具有均用于放大信号的多个LNA、用于转换从LNA供给的每个信号频率的RF VCO、和用于转换从基带供给的信号频率的IF VCO；以及多个球电极，设置在封装衬底的背表面上。封装衬底设置有用于向每一个LAN供给GND电位的第一公共GND导线、用于向RF VCO供给GND电位的第二公共GND导线、和用于向IF VCO供给GND电位的第三公共GND导线。第一、第二和第三公共GND导线彼此分开。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括主表面、与所述主表面相对的背表面、安置在所述主表面上方的多个焊盘以及安置在所述主表面上方的多个低噪声放大器，所述多个焊盘包括第一焊盘和第二焊盘，所述多个低噪声放大器包括第一低噪声放大器和第二低噪声放大器用于对输入的信号进行放大，所述第一焊盘和所述第二焊盘分别电连接到所述第一低噪声放大器和所述第二低噪声放大器；布线衬底，包括主表面、与所述主表面相对的背表面、安置在所述布线衬底的所述主表面外围部分上方的多个键合电极，所述多个键合电极包括第一键合电极、第二键合电极、第一GND键合电极、第二GND键合电极以及第三GND键合电极；以及多个外部端子，安置在所述布线衬底的所述背表面上方并且与所述多个键合电极电连接；其中所述半导体芯片安装在所述布线衬底的所述主表面上方，而所述半导体芯片的所述第一焊盘和所述第二焊盘分别通过第一导线和第二导线电连接到所述布线衬底的所述第一键合电极和所述第二键合电极，其中所述第一键合电极和所述第二键合电极布置在所述第一GND键合电极和所述第二GND键合电极之间，而所述第三GND键合电极布置在所述第一键合电极和所述第二键合电极之间，其中所述布线衬底还包括第一公共导体图案和第二公共导体图案，其布置在所述布线衬底的主表面上方，其中所述第一公共导体图案将所述第一GND键合电极和所述第二GND键合电极相互电连接，使得在平面视图中所述第一公共导体图案包围所述第一键合电极和所述第二键合电极，其中所述第二公共导体图案将所述第一公共导体图案和所述第三GND键合电极相互电连接，使得在平面视图中所述第二公共导体图案安置在所述第一键合电极和所述第二键合电极之间。
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