[发明专利]一种超薄芯片的封装方法以及封装体无效
申请号: | 201010135506.5 | 申请日: | 2010-03-30 |
公开(公告)号: | CN101807531A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 张江元;柳丹娜;李志宁 | 申请(专利权)人: | 上海凯虹电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/492 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 201612 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种超薄芯片的封装方法,包括如下步骤:提供一晶圆,所述晶圆表面具有多个待封装的芯片结构;将晶圆的背面减薄;在晶圆背面粘贴一双面具有粘性的导电薄膜;将贴膜完毕的晶圆切割成独立的芯片;将切割后的背面带有导电薄膜的芯片粘贴在引线框架上。本发明进一步提供了一种上述方法形成的封装体,包括引线框架和安放在引线框架上的芯片,所述芯片和引线框架之间通过一导电薄膜层相互粘合。本发明的优点在于:避免了在减薄后的晶圆上生长金属层导致芯片严重翘曲的现象,简化了封装工艺,并且不会产生引线框架在高温下变形或者树脂溢出的现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 超薄 芯片 封装 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种超薄芯片的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一晶圆,所述晶圆表面具有多个待封装的芯片结构;将晶圆的背面减薄;在晶圆背面粘贴一双面具有粘性的导电薄膜;将贴膜完毕的晶圆切割成独立的芯片;将切割后的背面带有导电薄膜的芯片粘贴在引线框架上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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