[发明专利]叠栅非易失性快闪存储单元、存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种叠栅非易失性快闪存储单元及其制造方法，该存储单元包括：可动开关，设置于所述浮栅延伸结构上方，所述可动开关对应位置的层间介质层中具有暴露浮栅延伸结构的开口，所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件位于所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，并将所述导电互连部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压时，则所述导电互连部件与所述浮栅延伸结构电连接。本发明提供的叠栅非易失性快闪存储单元，控制电路简单，制造成本低，可靠性高，功耗低，效率高。

主权项

一种叠栅非易失性快闪存储单元，包括：半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于衬底中的掺杂阱，和位于掺杂阱内及其上叠栅晶体管，所述叠栅晶体管包括源极区、漏极区，位于源极区和漏极区之间的浮栅结构、覆盖所述浮栅结构的隔离层、位于所述隔离层上的控制栅结构，所述半导体结构还包括浮栅结构在衬底上的延伸结构，即浮栅延伸结构，所述半导体结构上具有层间介质层；其特征在于，还包括：可动开关，设置于所述浮栅延伸结构上方，所述可动开关对应位置的层间介质层中具有暴露浮栅延伸结构的开口，所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件位于所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，并将所述导电互连部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压时，则所述导电互连部件与所述浮栅延伸结构电连接。