[发明专利]非易失性可变电阻元件的成型处理的控制电路及控制方法

摘要

本发明涉及非易失性可变电阻元件的成型处理的控制电路及控制方法。本发明提供能够对多个存储器单元的非易失性可变电阻元件同时进行成型处理、能够缩短成型时间的非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置在存储器单元阵列(501a)和第二选择线(位线)解码器(508)之间配置成型感测电路(510)，成型感测电路(510)在对连接于同一第一选择线(字线)的多个成型处理对象的存储器单元同时经由第二选择线施加成型处理用的电压脉冲时，通过对第二选择线的电位变动或流过该第二选择线的电流量进行测定来感测各存储器单元的成型处理的完成，进行控制使得停止向与感测到该成型处理的完成的存储器单元连接的上述第二选择线的电压施加。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，其中，具有：存储器单元阵列，其中将在可变电阻的两端担载电极的二端子型的非易失性可变电阻元件的一端子、与通过在二端子间施加的电压控制流过自身的电流量的二端子型的选择元件的一端子、或者通过施加于控制端子的电流或电压控制流过其它二端子间的电流量的三端子型的选择元件的除了上述控制端子之外的其它二端子中的任一方连接，构成存储器单元，将多个上述存储器单元分别在行和列方向上配置为矩阵状而构成上述存储器单元阵列，通过将属于同一行的上述存储器单元彼此连接的在行方向上延伸的第一选择线、和将属于同一列的上述存储器单元彼此连接的在列方向上延伸的第二选择线，使上述存储器单元阵列内的各上述存储器单元相互连接，上述非易失性可变电阻元件是通过实施成型处理并通过对该非易失性可变电阻元件的两端子间赋予电应力从而电阻状态在两个以上的不同电阻状态间转变并将该转变后的一个电阻状态用于信息的存储的元件，经由上述第一选择线对上述选择元件施加电流或电压，选择连接于同一上述第一选择线的上述成型处理对象的多个上述非易失性可变电阻元件，具有在对上述选择的上述成型处理对象的多个上述非易失性可变电阻元件分别经由不同的上述第二选择线同时施加上述成型处理用的成型电压时，按被施加上述成型电压的上述存储器单元的每一个来感测上述非易失性可变电阻元件的上述成型处理的完成的成型感测电路，进行控制使得不经由与感测到上述成型处理的完成的上述非易失性可变电阻元件连接的上述第二选择线施加上述成型电压。