[发明专利]等离子体镀膜装置在审
申请号: | 201010135905.1 | 申请日: | 2010-03-30 |
公开(公告)号: | CN102206815A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 裴绍凯 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/455 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种等离子体镀膜装置,包括腔体及收容于该腔体内的反应装置,该腔体的内壁设置有待镀基板,该反应装置包括两个相对设置的电极基板及前驱物存储腔,该前驱物存储腔与该两个电极基板之间所形成的电场相连通,该前驱物存储腔包括一载流气体入口,载流气体由该载流气体入口进入该前驱物存储腔并将被气化的该非气态反应物由该气体出口带入到该电场中与该气态反应物进行反应以对待镀基板进行镀膜。与现有技术相比,本发明所提供的该等离子体镀膜装置,其通过将待镀基板设置在电场之外并将助镀离子限制在电场内,减小了高速运动的助镀离子对待镀基板表面的撞击伤害,提高了镀膜的品质。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 镀膜 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体镀膜装置,其特征在于包括:一腔体,在该腔体的内壁上设置有至少一个容置槽,该容置槽用来收容待镀基板;至少一个第一进气管,其设置在该腔体上用来向该腔体内通入气态反应物;一反应装置,其收容于该腔体内,该反应装置包括两个沿该腔体轴线方向相对设置的电极基板以及前驱物存储腔,该两个电极基板之间有电场存在,该前驱物存储腔设置在至少一个电极基板上,该前驱物存储腔位于该电场的外部用来存储非气态反应物并对其进行气化,该前驱物存储腔包括载流气体入口及气体出口,其中,该载流气体入口用来向该前驱物存储腔内通入载流气体,该气体出口与该电场相连通,气化的该非气态反应物在载流气体的带动下由该气体出口进入到该电场中与该气态反应物进行反应以对待镀基板进行镀膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的