[发明专利]与卷对卷技术兼容的大面积有机薄膜晶体管列阵制备方法

摘要

本发明涉及的与卷对卷技术兼容的大面积有机薄膜晶体管列阵的制备方法，其步骤包括依次在衬底上制作栅极、绝缘介电层、有机小分子膜、源电极和漏电极；在绝缘介电层上制备有机小分子膜的步骤是：将衬底下表面粘在真空蒸镀系统滚筒上，在真空度为1×10-3～5×10-5Pa真空环境及室温条件下，使用真空热蒸镀法在所述绝缘介电层上蒸镀有机小分子材料10～100min，制得有机小分子膜；有机小分子材料为并苯、酞菁铜及衍生物、噻吩齐聚物及衍生物与四硫富瓦烯衍生物；有机小分子材料蒸镀过程中，滚筒同时作旋转和平移运动。该方法简单，可获高性能指标，如高迁移率的晶体管器件，且原材料利用效率高，晶体管器件性能均匀程度高。

主权项

一种与卷对卷技术兼容的大面积有机膜晶体管列阵的制备方法，其步骤包括：在衬底上表面上制备栅电极，以及在栅电极上制备绝缘介电层；在绝缘介电层上制备有机小分子膜，作为半导体活性层；在有机小分子膜上制备源电极和漏电极；其特征在于，所述的在绝缘介电层上制备有机小分子膜的步骤如下：将衬底下表面粘贴在真空蒸镀系统的滚筒上，在真空度为10‑3Pa～5×10‑5Pa真空环境及室温条件下，使用真空热蒸镀法在所述绝缘介电层上蒸镀有机小分子材料10min～100min，制得有机小分子膜；所述有机小分子材料为并苯、酞菁铜、酞菁铜衍生物、噻吩齐聚物、噻吩齐聚物衍生物与四硫富瓦烯衍生物；在上述有机小分子材料的蒸镀过程中，所述滚筒同时作旋转和平移运动；所述滚筒的平移运动为滚筒在真空蒸镀系统的蒸发源正上方的水平方向上30cm范围内的往复平移运动，其平移运动速度为5～40mm/s；所述滚筒的旋转运动为滚筒绕滚筒水平转轴旋转的旋转运动，其旋转速度40～240mm/s。