[发明专利]载置台结构和等离子体成膜装置有效
| 申请号： | 201010136279.8 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101840878A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 藤里敏章;R·内斯曼 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种能够充分进行处理容器内的脱气处理形成高真空，并且能够耐受高温的载置台结构。该载置台结构(32)载置被处理体以便在被处理体(W)上形成含有金属的薄膜，该载置台结构具有：内部埋入有卡盘用电极(34)和加热器(36)的陶瓷制的载置台(38)；与载置台的周边部的下表面连接的金属制的凸缘部(100)；通过螺钉(126)与凸缘部接合并且在内部形成有用于流通制冷剂的制冷剂通路(40)的金属制的基台部(42)；和设置在凸缘部和基台部之间的金属密封部件(130)。 | ||
| 搜索关键词： | 载置台 结构 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
一种载置台结构，其载置被处理体以在所述被处理体上形成含有金属的薄膜，其特征在于，具有：内部埋入有卡盘用电极和加热器的陶瓷制的载置台；与所述载置台的周边部的下表面连接的金属制的凸缘部；金属制的基台部，其通过螺钉与所述凸缘部接合，并且在内部形成有用于流通制冷剂的制冷剂通路；和设置在所述凸缘部和所述基台部之间的金属密封部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010136279.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的制造方法
- 下一篇：光信息记录再生方法、装置以及介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
