[发明专利]半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法有效
| 申请号： | 201010136701.X | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102201336A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 叶逸舟;朱晓静;杨晓松;郁志芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法，对在半导体器件层上热生长的氧化层进行图案化后，在半导体器件层上出现残留物，该方法还包括：在半导体器件层以及氧化层上热生长第二氧化层后抛光至该图案化的氧化层的上表面；在第二氧化层和该图案化的氧化层上旋涂光阻胶层，采用光刻工艺得到图案化的光阻胶层，该图案化的光阻胶层的图案与该氧化层的图案相同；以图案化的光阻胶层为掩膜，对第二氧化层和该图案化的氧化层刻蚀，得到二次图案化的氧化层，去除半导体器件层上的氧化层。该方法能够去除半导体器件的氧化层刻蚀后残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 氧化 刻蚀 残留物 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法，对在半导体器件层上热生长的氧化层进行图案化后，在半导体器件层上出现残留物，该方法还包括：在半导体器件层以及氧化层上热生长第二氧化层后抛光至该图案化的氧化层的上表面；在第二氧化层和该图案化的氧化层上旋涂光阻胶层，采用光刻工艺得到图案化的光阻胶层，该图案化的光阻胶层的图案与该氧化层的图案相同；以图案化的光阻胶层为掩膜，对第二氧化层和该图案化的氧化层刻蚀，得到二次图案化的氧化层，去除半导体器件层上的氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
