[发明专利]一种硅片的湿法处理方法无效
| 申请号： | 201010137186.7 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101834130A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张晨骋 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片的湿法处理方法，包括步骤：将所述硅片放置到工艺腔内可旋转平台的硅片托架上，所述硅片托架上方设置有第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴；所述硅片托架带动所述硅片旋转，且所述第一喷嘴向所述硅片表面喷洒药液，喷洒时间为第一时间；所述第二喷嘴向所述硅片表面喷洒含有表面活性剂与纯水的混合液，喷洒时间为第二时间；所述第三喷嘴向所述硅片表面喷洒纯水，喷洒时间为第三时间。本发明可以有效去除硅片表面的化学物以及化学物与硅片表面的反应产物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 湿法 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片的湿法处理方法，其特征在于，包括如下步骤：将所述硅片放置到工艺腔内可旋转平台的硅片托架上，所述硅片托架上方设置有第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴；所述硅片托架带动所述硅片旋转，且所述第一喷嘴向所述硅片表面喷洒药液，喷洒时间为第一时间；所述第二喷嘴向所述硅片表面喷洒含有表面活性剂与纯水的混合液，喷洒时间为第二时间；所述第三喷嘴向所述硅片表面喷洒纯水，喷洒时间为第三时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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