[发明专利]形成交替排列的P型和N型半导体薄层的工艺方法有效
| 申请号： | 201010137500.1 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102208336A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;谢烜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成交替排列的P型和N型半导体薄层的工艺方法，步骤一，在表面取向为(100)或(110)晶面的衬底硅片上生长一层N型外延层；步骤二，在所述N型外延层上形成沟槽；步骤三，在所述沟槽内采用硅源气体、卤化物气体、氢气和掺杂气体的混合气体进行P型硅外延生长，填充沟槽。本发明能使外延填充沟槽后，沟槽无晶格缺陷或缺陷很少，没有空洞或仅有很小空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 交替 排列 半导体 薄层 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种形成交替排列的P型和N型半导体薄层的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在表面取向为(100)晶面或(110)晶面的衬底硅片上生长一层N型外延层；步骤二，在所述N型外延层上形成沟槽；步骤三，在所述沟槽内采用硅源气体、卤化物气体、氢气和掺杂气体的混合气体进行P型硅外延生长，填充沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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