[发明专利]转移器件的方法无效
| 申请号： | 201010138477.8 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101859728A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 水野刚;友田胜宽;大畑丰治 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及转移器件的方法。该方法包括以下步骤：将第一基板和第二基板布置为彼此相对地隔开，所述第一基板上设有器件，具有等于或小于所述器件的平面形状的剥离层位于所述第一基板和所述器件之间，并且所述第二基板上设有粘合剂层，其中所述器件和所述粘合剂层彼此面对；以及将照射面积比所述剥离层的基底面积大的激光束从所述第一基板侧照射在所述剥离层的整个表面上，剥离所述剥离层，所述器件与所述第一基板分离后被转移到第二基板上。根据该方法，可相对于第一基板和第二基板的表面垂直控制剥离层的剥离引起的器件散布方向，并能够在不处理器件表面的情况下精确地将器件转移到第二基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种转移器件的方法，该方法包括以下步骤：将第一基板和第二基板布置为彼此相对地隔开，所述第一基板上设有器件，具有等于或小于所述器件的平面形状的剥离层位于所述第一基板和所述器件之间，并且所述第二基板上设有粘合剂层，其中所述器件和所述粘合剂层彼此面对；以及将照射面积比所述剥离层的基底面积大的激光束从所述第一基板侧照射在所述剥离层的整个表面上，剥离所述剥离层，使所述器件与所述第一基板分离，然后把所述器件转移到所述第二基板上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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