[发明专利]等离子体处理装置无效
申请号: | 201010139852.0 | 申请日: | 2010-03-30 |
公开(公告)号: | CN101853764A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 舆水地盐 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/30;H01J37/04 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;陈立航 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置提高等离子体密度、等离子体处理特性的面内均匀性。等离子体处理装置(10)具有:处理容器(100),其在内部中对晶圆(W)实施等离子体处理;第一高频电源(140),其输出高频电力;高频天线(120),其由外侧线圈、内侧线圈以及设置在其之间的n个的中间线圈相对于中心轴以同心状卷绕而形成在处理容器(100)的外部,其中n为1以上的整数;以及电介质窗(105),其构成处理容器(100)的壁面的一部分,将从高频天线(120)产生的电磁场的能量导入到处理容器(100)内。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其特征在于,具备:处理容器,其在内部中对被处理体实施等离子体处理;第一高频电源,其输出高频电力;高频天线,其由外侧线圈、内侧线圈以及设置在上述外侧线圈和上述内侧线圈之间的n个的中间线圈相对于中心轴以同心状卷绕而形成在上述处理容器的外部,其中n为1以上的整数;以及电介质窗,其设置在上述处理容器的开口部,将由上述高频天线产生的电磁场的能量导入到上述处理容器内。
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