[发明专利]等离子处理装置和等离子处理方法有效
| 申请号： | 201010139892.5 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101853766A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 山泽阳平;奥西直彦;三泽裕文;添田秀史 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/30;H01J37/04;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种等离子处理装置和等离子处理方法，其能够大幅度地改善等离子体密度分布控制的性能和自由度，实现尽可能地提高等离子体密度分布以及工艺特性的均匀性。该电容耦合型等离子处理装置在室下部室(25)中设置等离子体密度分布控制器(72)作为用于控制基座(12)上的等离子体密度分布的设备。该等离子体密度分布控制器(72)具有上表面朝向基座(12)的背面的预定部位地配置的导体板(第1导体)(74)和在该导体板(74)的下方保持该导体板(74)且电接地的导体棒(第2导体)(76)。导体棒(76)的上端(第1连接部)固定在导体板(74)的下表面的任意部位。导体棒76的下端(第2连接部)固定或接触地安装在室(10)的底壁(10b)上。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子处理装置，其在处理容器中设置有高频电极，在上述处理容器内对被处理体进行预定的等离子处理时，从上述高频电极的背面对该高频电极施加第1高频电力，上述高频电极的正面被暴露在处理气体的等离子体中其特征在于，包括：第1导体，具有朝相反方向的第1面和第2面，使上述第1面与上述高频电极的背面的预定部位相对，在施加上述第1高频电力时电连接于上述高频电极的背面；第2导体，具有在施加上述第1高频电力时与上述第1导体的上述第2面的预定部位电连接的第1连接部、和在上述高频电极附近与电接地的导电性构件电连接的第2连接部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010139892.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
