[发明专利]一种基于纳米压印的表面传导电子发射源的制作方法无效
| 申请号： | 201010140009.4 | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101814408A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘红忠;丁玉成;陈邦道;樊帆;王莉;卢秉恒 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 惠文轩 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及表面传导电子发射平板显示器件技术，公开了一种基于纳米压印的表面传导电子发射源的制作方法。它具体包括以下步骤：第一步，制备用于制作压印表面传导电子发射源发射间隙的硅橡胶凸模；第二步，在玻璃基板上制作左、右电极以及行、列引出电极；第三步，利用硅橡胶凸模采用逆压印技术将UV胶转印到左、右电极中间位置的玻璃基板上，并用紫外光固化定型，形成间隔条；然后，依次采用套印光刻工艺、磁控溅射工艺、剥离工艺制作搭接在左、右电极和间隔条上的Pd电子发射薄膜；最后，采用液氮激冷工艺，在液氮中浸泡激冷，Pd电子发射薄膜在间隔条顶部冷缩形成拱起裂纹，构成电子发射源的发射间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 压印 表面 传导 电子 发射 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米压印的表面传导电子发射源的制作方法，具体包括以下步骤：第一步，制备用于制作压印表面传导电子发射源发射间隙的硅橡胶凸模；第二步，在玻璃基板上制作左、右电极以及行、列引出电极；第三步，利用硅橡胶凸模采用逆压印技术将UV胶转印到左、右电极中间位置的玻璃基板上，并用紫外光固化定型，形成间隔条；然后，依次采用套印光刻工艺、磁控溅射工艺、剥离工艺制作搭接在左、右电极和间隔条上的Pd电子发射薄膜；最后，采用液氮激冷工艺，在液氮中浸泡激冷，Pd电子发射薄膜在间隔条顶部冷缩形成拱起裂纹，构成电子发射源的发射间隙。
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