[发明专利]一种硅基纳米孔的制作方法有效
| 申请号： | 201010140180.5 | 申请日： | 2010-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101798059A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 司卫华;刘泽文 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贾玉健 |
| 地址： | 100084 北京市10*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅基纳米孔的制作方法，包括以下步骤：一、在硅衬底上覆盖有保护材料和顶层保护材料，用微细加工技术将需要在硅衬底上刻蚀出的图形加工到两层保护材料上，图形的深度到达硅衬底的表面；二、在硅衬底的表面运用深反应离子刻蚀DRIE的方法刻蚀出垂直的柱状孔；三、在柱状孔的表面涂上光刻胶；四、采用湿法腐蚀，利用氢氧化钾碱性溶液，从柱状孔末端往下继续腐蚀，使得腐蚀出的斜面与水平面的夹角为53.7°，最后得到尺寸可控的硅纳米孔，本发明为原子束的表面控制和其他纳米加工技术提供了技术支持，起到了推动作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基纳米孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：一、在硅衬底(1)上覆盖保护材料(2)和顶层保护材料(3)，保护材料(2)采用溅射的铬层，厚度为300nm，顶层保护材料(3)采用溅射的铝层，厚度为300nm，用微细加工技术将需要在硅衬底(1)上刻蚀出的图形加工到两层保护材料上，图形的深度到达硅衬底(1)的表面；二、在硅衬底(1)的表面运用深反应离子刻蚀DRIE的方法刻蚀出垂直的柱状孔，刻蚀的深度取决于所用硅片的厚度和所要制作的硅纳米孔之间的距离，根据硅各向异性湿法腐蚀的特性和所要制作的硅纳米孔之间的距离，可以得到湿法腐蚀的深度，深反应离子刻蚀DRIE刻蚀的深度为硅片的厚度减去湿法腐蚀的深度；三、在柱状孔的表面(6)涂上光刻胶(5)；四、采用湿法腐蚀，利用浓度为30％的氢氧化钾碱性溶液，从柱状孔末端往下继续腐蚀，使得腐蚀出的斜面(4)与水平面的夹角为53.7°，最后得到尺寸可控的硅纳米孔(7)。
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