[发明专利]PECVD镀膜专用硅片承载器无效
申请号: | 201010140438.1 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN101877373A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 屈莹;刘志刚;冯鑫 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 周祥生 |
地址: | 213200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种PECVD镀膜专用硅片承载器,包括承载框架、单面挂钩、双面挂钩和垫板,单面挂钩与双面挂钩的结构相同,只比后者少一只托钩;在挂钩的扎带上设有压迫凸台和折弯槽,挂钩的固定和拆除都通过压迫凸台沿折弯槽折弯90°方式来实现,挂钩固定后,托钩的顶尖与挂钩连接杆底边的距离小于或等于硅片的厚度,由于改进了挂钩的连接结构,扎带在收紧、拆除过程中只作用于垫板上,不会损伤挂钩连接杆。这种结构的硅片承载器,不仅挂钩能快速安装和拆除,而且安装和拆除对硅片承载框架都不会产生损伤,还能大幅度降低太阳能电池片背面沉积氮化硅层的几率,能更好地满足镀膜工艺要求。 | ||
搜索关键词: | pecvd 镀膜 专用 硅片 承载 | ||
【主权项】:
一种PECVD镀膜专用硅片承载器,它包括承载框架(1)、单面挂钩(2)、双面挂钩(3),单面挂钩(2)和双面挂钩(3)均安装在承载框架(1)上,其特征是:它还包括垫板(4),所述双面挂钩(3)由托钩(31)、钩身(32)、定位槽(33)、扎带(34)、压迫凸台(35)和折弯槽(36)组成,两个托钩(31)对称地位于钩身(32)底部的两侧,定位槽(33)位于钩身(32)的上方,且处于两根扎带(34)之间,压迫凸台(35)设置在扎带(34)的顶端,在两扎带(34)的外侧等高度地设有折弯槽(36),折弯槽(36)的开设位置要求是:当压迫凸台(35)沿折弯槽(36)向内侧边(37)折弯90°后,内侧边(37)到定位槽(33)底边(38)的距离等于两个垫板(4)厚度与挂钩连接杆(11)厚度之和;所述垫板(4)呈“工”字形,在垫板(4)两侧设有扎带槽(41),扎带槽(41)的宽度与扎带(34)的厚度相当,两扎带槽(41)槽底(42)之间的距离与两扎带(34)的内侧边(37)之间的距离相当,托钩(31)的顶尖与挂钩连接杆(11)底边的距离小于或等于硅片(5)的厚度;所述单面挂钩(2)的结构与双面挂钩(3)相同,只比双面挂钩(3)少一只托钩(31);单面挂钩(2)和双面挂钩(3)与挂钩连接杆(11)的安装方式相同,在挂钩连接杆(11)的上端面和下端面均设置有垫板(4),两扎带(34)插穿在垫板(4)的两扎带槽(41)中,定位槽(33)套装在挂钩连接杆(11)上,两根扎带(34)上端的压迫凸台(35)通过沿折弯槽(36)向内侧边(37)折弯90°的方式压在垫板(4)的上端面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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