[发明专利]功率半导体器件的终端及功率半导体器件有效
| 申请号： | 201010140975.6 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102208435A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 周振强;江堂华;吴家键;蔡桥斌;杨飒飒 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/29 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件的终端及功率半导体器件。该功率半导体器件的终端，包括电场限制区、电场集中区和第一钝化层，所述电场限制区位于功率半导体器件的主体半导体区域中，所述电场集中区位于功率半导体器件的主体半导体区域上方，所述第一钝化层位于所述电场集中区的上方；厚度方向上，所述第一钝化层的相对介电常数呈第一三角函数变化。本发明的相对介电常数按三角函数变化的功率半导体器件的终端的钝化层可以将极化电荷由集中在电场线方向上的边界附近向钝化层内转移，从而有效地减少边界附近的极化电荷、降低边界处的电场尖峰，从而较现有技术该功率半导体器件的终端在相同厚度下可以提高耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 终端 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件的终端，其特征在于，包括电场限制区、电场集中区和第一钝化层，所述电场限制区位于功率半导体器件的主体半导体区域中，所述电场集中区位于功率半导体器件的主体半导体区域上方，所述第一钝化层位于所述电场集中区的上方；厚度方向上，所述第一钝化层的相对介电常数呈第一三角函数变化。
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