[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010141191.5 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102104020A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 高银静 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：蚀刻衬底以形成多个沟槽，在沟槽的底表面和内侧壁上形成第一衬垫层至第一高度，在其中形成第一衬垫层的沟槽的内侧壁之一上形成牺牲衬垫层，形成第三牺牲层至第二高度，使得在其中形成牺牲衬垫层的沟槽上填埋第三牺牲层，将通过第三牺牲层暴露出的牺牲衬垫层的部分移除以形成牺牲图案，在通过第三牺牲层暴露出的沟槽的内侧壁上形成第二衬垫层，和移除第三牺牲层以形成打开沟槽的内侧壁之一的线形侧面接触区域。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：蚀刻包括单元区域和边缘区域的衬底以形成多个沟槽；在所述沟槽的表面轮廓上形成第一衬垫氮化物层；移除在所述单元区域中所述沟槽的内侧壁之一上形成的第一衬垫氮化物层的部分，以形成打开所述单元区域中所述沟槽的内侧壁之一的线形的侧面接触区域；和在所述沟槽的表面轮廓上形成侧面接触导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
