[发明专利]一种制备大面积多晶薄膜的方法无效
| 申请号： | 201010141595.4 | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101908471A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张宏勇;邹福松 | 申请（专利权）人： | 江苏华创光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 214213 江苏省宜兴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备大面积多晶薄膜的方法，包括如下步骤：(1)在玻璃基板上淀积一层非晶硅薄膜；(2)采用光刻工艺，在非晶硅薄膜上曝光出条状窗口；(3)采用磁控溅射法在窗口内非晶硅薄膜上溅射一层金属；(4)采用激光器对着窗口进行辐照制备多晶薄膜；(5)用酸除去残留的金属镍。本发明是结合常规的金属诱导固相晶化法和激光晶化技术的基础上，所发明出来的一种新的多晶硅薄膜制备方法，其所制备的多晶硅薄膜既有金属诱导固相晶化法的择优取向，又有激光晶化法所制备的高迁移率，缺陷少的效果，同时结合光刻技术和金属透导的横向晶化特性可以制备大面积多晶硅薄膜，为产业化提供了方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 大面积 多晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备大面积多晶薄膜的方法，其特征在于该方法包括如下步骤：(1)在玻璃基板上淀积一层非晶硅薄膜；(2)采用光刻工艺，在非晶硅薄膜上曝光出条状窗口；(3)采用磁控溅射法在窗口内非晶硅薄膜上溅射一层金属；(4)采用激光器对着窗口进行辐照制备多晶薄膜；(5)用酸除去残留的金属镍及光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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