[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法，所述方法在形成栅堆叠后，在NMOS区域的第一栅堆叠上形成第一侧墙缓冲层；然后在PMOS区域的第二栅堆叠上形成第二侧墙；其中第一侧墙缓冲层由氮化物或氧化物材料形成，第二侧墙由低k介质材料形成；然后在氧环境中进行高温退火，以使氧气环境中的氧原子通过所述第二侧墙扩散到所述第二栅堆叠的高k栅介质层中，而第一侧墙缓冲层阻挡氧原子扩散至第一栅堆叠中。本发明的实施例可以用于CMOS器件工艺或相关领域的半导体工艺。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有相互隔离的NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底；在所述NMOS区域上形成第一栅堆叠，以及在所述PMOS区域上形成第二栅堆叠，其中所述第一栅堆叠和第二栅堆叠包括高k栅介质层和金属栅电极；在所述第一栅堆叠侧壁形成第一侧墙缓冲层，并在所述第一侧墙缓冲层的侧壁形成第一侧墙，以及在所述第二栅堆叠的侧壁形成第二侧墙，其中所述第二侧墙采用低k介质材料形成；在所述NMOS区域和PMOS区域上分别形成相应的源/漏区后，对所述器件在氧气环境进行退火，以使氧气环境中的氧原子通过所述第二侧墙扩散到所述第二栅堆叠的高k栅介质层中。