[发明专利]基板处理装置和排气方法有效
申请号: | 201010142298.1 | 申请日: | 2010-03-18 |
公开(公告)号: | CN101853779A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 山涌纯;及川纯史;中山博之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置和排气方法,该排气方法能够防止由于从处理室容器(腔室)排出的排出气体中所含的带电的颗粒向排气流路的内壁面附着而造成的排气流路的堵塞。该排气方法是将基板处理装置的腔室(50)的容器内气体排出的排气方法,其中,该基板处理装置包括:收容处理对象的晶片(W)的腔室(50);将腔室(50)的容器内气体排出的排气流路(51);和沿着气体流通方向依次设置在排气流路(51)中的干式泵(52)以及收集排出气体中的有害成分的除害装置(53),从与干式泵(52)的上游侧的排气流路(51)连接的离子化气体供给管(55)向在排气流路(51)中流动的排出气体中供给离子化气体,对排出气体中所含的带电的颗粒进行除电,与排出气体一起向系统外排出。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 排气 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,包括:收容被处理基板的处理室容器;将该处理室容器内的气体排出的排气流路;和设置在该排气流路中的一个或多个的排气泵以及收集排出气体中的有害成分的除害装置,并且,在所述排气流路中设置有供给离子化气体的离子化气体供给部,该离子化气体用于对在该排气流路中流动的排出气体中所含的带电的颗粒进行除电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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