[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 201010142980.0 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102194968A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 余国辉;王建钧;朱长信;李孟信 | 申请（专利权）人： | 佛山市奇明光电有限公司;奇力光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 528237 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管。此发光二极管包括接合基板、第一电性电极、接合层、外延结构、第二电性电极、生长基板与封胶层。第一电性电极与接合层分别设于接合基板的第二表面与第一表面上。外延结构包括依序堆叠在接合层上的第一电性半导体层、有源层与第二电性半导体层。第一电性半导体层与第二电性半导体层的电性不同。外延结构的外围环状设置有沟槽自第二电性半导体层延伸至第一电性半导体层。第二电性电极与第二电性半导体层电性连接。生长基板设于外延结构上。生长基板具有一凹槽以暴露出部分的外延结构与沟槽。封胶层填设于凹槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：接合基板，包括相对的第一表面与第二表面；第一电性电极，设于该接合基板的第二表面上；接合层，设于该接合基板的第一表面上；外延结构，包括依序堆叠在该接合层上的第一电性半导体层、有源层与第二电性半导体层，该第一电性半导体层与该第二电性半导体层的电性不同，其中该外延结构的外围环状设置有一沟槽，该沟槽自该第二电性半导体层延伸至该第一电性半导体层；以及第二电性电极，与该第二电性半导体层电性连接；生长基板，设于该外延结构上，其中该生长基板具有一凹槽，该凹槽暴露出部分的该外延结构与该沟槽。
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