[发明专利]半导体装置及半导体结构的制造方法无效
| 申请号： | 201010143365.1 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102024768A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 朴志洙;詹姆斯·G·费兰札 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体结构的制造方法。第一半导体结晶材料的一表面具有减少的粗糙度。半导体装置包括位于第一结晶材料的该表面上的一低缺陷、经应变的第二半导体结晶材料。经应变的第二半导体结晶材料的一表面具有一减少的粗糙度。于一实施例中包括通过创造出可减少位于介于该第一与第二半导体结晶材料间的界面区的杂质而得到具有减少的表面粗糙度的一表面。于一实施例中，第一半导体结晶材料可采用深宽比捕捉技术而为位于一绝缘物内且具有足以捕捉缺陷的一深宽比的一开口所限制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一复合基板，包括相对于一第二材料具有高深宽比的一第一半导体结晶材料，该复合基板具有一平坦表面；以及经应变的一第二半导体结晶材料，位于该平坦表面的该第一半导体结晶材料上，其中该第一半导体结晶材料的该平坦表面具有不高于5nm的一表面均方根粗糙度，且其中介于该第一半导体结晶材料与该第二半导体结晶材料间的一界面具有减少的杂质浓度。
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