[发明专利]一种具有大孔洞开放框架结构的金属磷卤化合物及其制备方法

摘要

一种具有大孔洞开放框架结构的金属磷卤化合物，其特征是化学式为[Hg4As2](InBr3.5As0.5)，六方晶系，空间群为P63/mmc，单胞参数为α＝89～91，β＝89～91，γ＝119～121°，Z＝2。本发明的优点是：1、本发明的金属磷卤化合物具有大孔洞的开放枢架结构，其最大孔洞为0.12纳米，可作为良好的潜在多孔材料；2、本发明的化合物的热稳定性较好，其热分解温度为278℃；3、合成方法简单，易操作、原料来源充足、生产成本低廉、化合物合成的产率较高，纯度也很高以及重复性好，使得其适合扩大化生产的要求。

主权项

1.一种具有大孔洞开放框架结构的金属磷卤化合物，其特征是化学式为[Hg₄As₂](InBr_3.5As_0.5)，六方晶系，空间群为P₆₃/mmc，单胞参数为a＝7.0～8.0b＝7.0～8.0c＝12.0～13.0α＝89～91，β＝89～91，γ＝119～121°，Z＝2。