[发明专利]利用自释釉制备低放射性辐射赤泥陶瓷材料的方法有效
| 申请号： | 201010143727.7 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101805208A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 覃烁;吴伯麟;赵艳荣;马从倡 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C04B41/86 | 分类号： | C04B41/86;C03C8/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用自释釉制备低放射性辐射赤泥陶瓷材料的方法。(1)原料的质量百分比为：赤泥20-70％，红砂岩20-70％，增塑剂2-10％，钡、硼和铅的化合物中的一种或两种1-25％。(2)将步骤(1)原料放入球磨装置中球磨混料12-36小时；(3)将步骤(2)所得料在50℃-120℃温度下烘干3-24小时；(4)将步骤(3)所得料采用压制成型或可塑成型，制得坯体；(5)将步骤(4)所得坯体在900℃-1350℃烧结0.5-6小时，冷却到室温制得成品。本发明原料来源广泛，成本极低，利用自释釉层的包覆，赤泥的放射性辐射大幅降低。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 制备 放射性 辐射 陶瓷材料 方法 | ||
【主权项】：
一种赤泥陶瓷材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：(1)原料的质量百分比为：赤泥20-70％，红砂岩20-70％，增塑剂2-10％，钡、硼和铅的化合物中的一种或两种1-25％；(2)将步骤(1)原料放入球磨装置中球磨混料12-36小时；(3)将步骤(2)所得料在50℃-120℃温度下烘干3-24小时；(4)将步骤(3)所得料采用压制成型或可塑成型，制得坯体；(5)将步骤(4)所得坯体在900℃-1350℃烧结0.5-6小时，冷却到室温制得成品；所述赤泥为拜耳法赤泥、烧结法赤泥或联合法赤泥中的一种；所述增塑剂为粘土、各类高岭土或人造增塑剂中的一种或多种；所述钡的化合物是钡的质量百分含量大于50％的钡的化合物；所述硼的化合物是硼的质量百分含量大于50％的硼的化合物；所述铅的化合物是铅的质量百分含量大于50％的铅的化合物。
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