[发明专利]一种超导本征结的制备方法有效
| 申请号： | 201010143759.7 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101820046A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 尤立星;王兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种本征结的制备方法，包括：(1)高温超导单晶生长；(2)剥离并固定超薄单晶于基片上；(3)超薄单晶选择及厚度确定；(4)本征结制备；其中，步骤(2)中，通过多次剥离BSCCO单晶薄片，将肉眼看不到的单晶碎片吸附于基片表面。步骤(3)根据需要选择合适大小和厚度的单晶用于本征结制备。本发明的优点是：(1)采用了超薄的单晶，厚度远小于材料的穿透深度，从而可以有效的吸收被探测信号。同时薄超导单晶有助于本征结和基片之间的热扩散；(2)制备过程没有采用胶固定工艺，有助于超导材料和基片之间的热扩散；(3)单晶表面和基片之间的高度差仅为单晶本身厚度，从几十到几百纳米，和薄膜厚度相当。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超导 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种本征结制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)高温超导单晶生长；(2)剥离并重复多次使超薄单晶碎片粘附于基片表面；(3)超薄单晶保护和选择；(4)本征结的制备；其中，①步骤2剥离采用胶带或PE保护蓝膜，超薄单晶碎片大小从几个微米到几十微米，厚度从几个纳米到几百纳米；②步骤3超薄单晶的保护是在其上蒸发一层金层，选择用于本征结制备的单晶边长为几十微米大小的碎片，厚度为几十纳米到200纳米；③步骤4本征结的制备：a)首先利用普通光刻构造台面；然后用Ar离子束刻蚀方法制备一个一定高度的台面；b)再次利用光刻和离子束刻蚀方法构造电极，包括顶电极和底电极。
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