[发明专利]硅单晶的拉制方法有效
| 申请号： | 201010143832.0 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101922041A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | M·贝尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 苗征;于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及从容纳在坩埚中的熔体拉制硅单晶的方法，其包括：将晶种浸入熔体；通过在一拉晶速度下从熔体抬高晶种使单晶在晶种上结晶；将单晶的直径拓宽至锥形部分中的定点直径，包括控制拉晶速度以在锥形部分中导致单晶生长前沿的曲率倒转。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 拉制 方法 | ||
【主权项】：
从容纳在坩埚中的熔体拉制硅单晶的方法，其包括：将晶种浸入熔体；通过在一拉晶速度下从熔体抬高晶种使单晶在晶种上结晶；将单晶的直径拓宽至锥形部分中的定点直径，包括控制拉晶速度以在锥形部分中导致单晶生长前沿的曲率倒转。
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