[发明专利]一种集成电路的I/O口的电位上拉电路和下拉电路有效
| 申请号： | 201010143902.2 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101795132A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王贤吉;曾强 | 申请（专利权）人： | 日银IMP微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 程晓明 |
| 地址： | 315040 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了集成电路的I/O口的电位上拉电路和下拉电路，电位上拉电路当无信号输入时，输出高电平，实现了I/O口电平的上拉功能，具有较强的抗噪声干扰能力；不管有无信号输入，都能实现静态功耗为零；第一反相器和第二反相器为整个电路的驱动级，通过调节第一反相器和第二反相器的电流能力可以实现灵活调节I/O口的驱动能力和频率特性；电位下拉电路当无信号输入时，输出低电平，实现了I/O口电平的下拉功能，具有较强的抗噪声干扰能力；不管有无信号输入，都能实现静态功耗为零；第三反相器和第四反相器为整个电路的驱动级，通过调节第三反相器和第四反相器的电流能力可以实现灵活调节I/O口的驱动能力和频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 电位 电路 下拉 | ||
【主权项】：
一种集成电路的I/O口的电位上拉电路，其特征在于包括第一延时开关控制模块、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一反相器、第二反相器、第一电阻和第二电阻，所述的第一电阻的第一端为所述的电位上拉电路的输入端，所述的第一电阻的第二端分别与所述的第一反相器的输入端和所述的第二电阻的第一端相连接，所述的第二电阻的第二端分别与所述的第一PMOS晶体管的漏极和所述的第二PMOS晶体管的漏极相连接，所述的第二PMOS晶体管的栅极与所述的第一延时开关控制模块相连接，所述的第二PMOS晶体管的源极、所述的第二PMOS晶体管的衬底、所述的第一PMOS晶体管的源极及所述的第一PMOS晶体管的衬底均接电源，所述的第一PMOS晶体管的栅极分别与所述的第一反相器的输出端和所述的第二反相器的输入端相连接，所述的第二反相器的输出端为所述的电位上拉电路的输出端。
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