[发明专利]电平转换电路有效
| 申请号： | 201010144039.2 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102208909A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 单毅 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电平转换电路，用于将高电平的输入信号转换成低电平的输出信号，包括：高电平线、低电平线以及地线、整形电路、输出电路；其中整形电路的第一级反相器单元包括一对PMOS晶体管、第一对NMOS晶体管以及第二对NMOS晶体管，该对PMOS晶体管的漏极互相与对方的栅极连接，源极与高电平线连接，所述第一对NMOS晶体管分别与第二对NMOS晶体管串连，且串连的NMOS晶体管的栅极相互连接，所述第一NMOS晶体管的源极均接地，第二对NMOS晶体管的漏极分别与该对PMOS晶体管的漏极连接，栅极分别与整形电路的最后级反相器单元的输入端以及输出端连接；所述第二NMOS晶体管为耗尽型厚栅晶体管，第一NMOS晶体管为薄栅型晶体管。上述电平转换电路响应速度快，电路延迟小。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
一种电平转换电路，用于将高电平的输入信号转换成低电平的输出信号，其特征在于，包括：高电平线、低电平线以及地线；整形电路，耦合于低电平线与地线之间，包括偶数级串接的反相器单元；输出电路，耦合于高电平线与地线之间，包括偶数级串接的反相器单元，其中第一级反相器单元包括一对PMOS晶体管、第一对NMOS晶体管以及第二对NMOS晶体管，该对PMOS晶体管的漏极互相与对方的栅极连接，源极与高电平线连接，所述第一对NMOS晶体管分别与第二对NMOS晶体管串连，且串连的NMOS晶体管的栅极相互连接，所述第一NMOS晶体管的源极均接地，第二对NMOS晶体管的漏极分别与该对PMOS晶体管的漏极连接，所述第二对NMOS晶体管的栅极分别与整形电路的最后级反相器单元的输入端以及输出端连接，而栅极与整形电路的最后级反相器单元输出端连接的NMOS晶体管，其漏极作为该级反相器单元的输出端与输出电路的第二级反相器单元连接；所述第二NMOS晶体管为耗尽型厚栅晶体管，第一NMOS晶体管为薄栅型晶体管。
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