[发明专利]一种无机半导体纳米材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010144146.5 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102211756A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 周云龙;唐智勇 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种无机半导体纳米材料及其制备方法，该方法包括以下步骤：步骤1)：将阳离子配位剂和手性稳定剂溶解于同一溶剂，调节pH值至9～12，使其生成手性金属络合物；步骤2)：加入阴离子配位剂，然后在60～120℃加热使其成核。本发明通过在原料中加入手性稳定剂使得到的无机纳米材料具有手性特征，所采用的方法简单，所制备的手性纳米材料组成、性质多样，应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 半导体 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无机半导体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1)：将阳离子配位剂和手性稳定剂溶解于同一溶剂，调节PH值至9～12，使其生成手性金属络合物；步骤2)：加入阴离子配位剂，然后在60～120℃加热使其成核。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心，未经国家纳米科学中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010144146.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
