[发明专利]一种碳/硅/碳纳米复合结构负极材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010144740.4 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102214817A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 任建国;蒲薇华;何向明;李建军;高剑 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/1395 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 童晓琳 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于电化学电源技术领域的一种碳/硅/碳纳米复合结构负极材料及其制备方法。该负极材料由碳基导电基体、均匀分布在碳基导电基体上的纳米硅及纳米硅表面的纳米碳包覆层组成。碳基导电基体是多孔碳、碳纳米管或者石墨烯，纳米硅以纳米颗粒或纳米薄膜的状态存在，在负极材料中的重量百分比为10～90％，纳米碳包覆层的厚度为0.1～10nm。其制备方法是在无氧气气氛的反应空间内采用化学气相沉积工艺在碳基体上沉积纳米硅，再通过化学气相沉积工艺在纳米硅表面包覆纳米碳。所得“碳/硅/碳”复合负极材料在充放电过程中，硅电极材料的体积变化得到有效控制，电极结构保持完整，循环容量大，循环寿命长，电化学性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 结构 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳/硅/碳纳米复合结构负极材料，其特征在于：该负极材料由碳基导电基体、均匀分布在碳基导电基体上的纳米硅及纳米硅表面的纳米碳包覆层组成。
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