[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201010144910.9 | 申请日： | 2010-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101840889A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 岛昌司 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，该方法包括如下步骤：形成限定第一区和第二区的隔离区；向所述第一区和所述第二区内注入第一导电类型的第一杂质；在所述第一区上方形成第一栅极绝缘膜和第一栅电极；在所述第二区上方形成第二栅极绝缘膜和第二栅电极；在所述第二区的第一部分上方形成第一掩模层，以暴露所述第二区的第二部分和所述第一区；以及将所述第一导电类型的第二杂质从与所述半导体衬底的表面倾斜的方向注入到所述半导体衬底内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：在半导体衬底中形成限定第一区和第二区的隔离区；将第一导电类型的第一杂质注入到所述第一区和所述第二区内；在所述第一区上方形成第一栅极绝缘膜和第一栅电极；在所述第二区上方形成第二栅极绝缘膜和第二栅电极；在所述第二区的第一部分上方形成第一掩模层，以暴露所述第二区的第二部分和所述第一区；以及通过将所述第一掩模层、所述第一栅电极以及所述第二栅电极用作掩模，将所述第一导电类型的第二杂质从与所述半导体衬底的表面倾斜的方向注入到所述半导体衬底内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
