[发明专利]一种探测次声波的方法无效
| 申请号： | 201010145207.X | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102213611A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01H11/08 | 分类号： | G01H11/08;H01L41/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种探测次声波的方法，该方法包括：步骤1：在衬底表面生长氧化介质；步骤2：在生长的氧化介质上制作底层电极；步骤3：超声降解一维压电纳米材料；步骤4：选择合适尺度的纳米线，使其固有频率处于次声波频率范围内，再将一维压电纳米材料精确组装在底层电极上；步骤5：在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极；步骤6：将器件固定在高真空腔体内；步骤7：将正负电极经过导线引出腔体；步骤8：在电极上施加电压并监测电流。本发明利用一维纳米材料的固有频率和纳米压电器件特性，经过上述工艺流程，达到了探测次声波的目的，为今后纳米技术在声学领域的应用提供了新思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测 次声波 方法 | ||
【主权项】：
一种探测次声波的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：在衬底表面生长氧化介质；步骤2：在生长的氧化介质上制作底层电极；步骤3：超声降解一维压电纳米材料；步骤4：选择合适尺度的纳米线，使其固有频率处于次声波频率范围内，再将一维压电纳米材料精确组装在底层电极上；步骤5：在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极；步骤6：将器件固定在高真空腔体内；步骤7：将正负电极经过导线引出腔体；步骤8：在电极上施加电压并监测电流。
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