[发明专利]一种半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010145587.7 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102214608A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王文武;马雪丽;欧文;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体器件的方法及半导体器件。其中，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成栅堆叠；覆盖所述器件形成内层介电层；对栅堆叠两侧的内层介电层及其下方的衬底进行刻蚀，以分别形成属于源极区和漏极区的凹槽；在凹槽内沉积形成金属扩散阻挡层；对凹槽进行金属填充以形成源极区和漏极区。半导体器件包括：衬底，在衬底上的栅堆叠，覆盖所述器件的内层介电层，在栅堆叠两侧的内层介电层及其下方的衬底中形成的属于源极区和漏极区的凹槽，以及在凹槽中形成的金属扩散阻挡层和金属填充物。通过本发明不仅可以减小MOS器件中源/漏极的寄生电阻并增强源/漏极对沟道的应力，还可以降低工艺温度，提高高k栅介质和金属栅的工艺兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：101.提供衬底；102.在衬底上形成栅堆叠；103.覆盖所述器件形成内层介电层；104.对栅堆叠两侧的内层介电层及其下方的衬底进行刻蚀，以分别形成属于源极区和漏极区的凹槽；105.在凹槽内沉积形成金属扩散阻挡层；106.对凹槽进行进行金属填充以形成源极区和漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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