[发明专利]有机或无机电致发光器件、器件阳极及制备方法无效
| 申请号： | 201010145897.9 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102222774A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 徐万劲;秦国刚;李延钊;冉广照 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L33/36;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机或无机电致发光器件、器件阳极及制备方法，属于有机或无机电致发光器件领域。本发明利用金属及其硅化物层与多晶硅层并联增强电流传导性，提出用纳米厚度多晶硅与金属硅化物复合薄膜作为发光器件阳极，从而克服目前常见的单晶硅阳极对可见光有强的吸收，纳米厚度多晶硅薄膜作阳极时方块电阻太大等问题。本发明纳米厚度多晶硅与金属硅化物复合阳极具有良好的透光性、导电性能好、功函数及空穴注入可调、工艺简单、成本低、稳定性好的特点。该阳极材料不但可应用有机发光二极管显示器等薄膜发光器件领域，进而有可能应用在光探测及光电池器件方面。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 无机 电致发光 器件 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机或无机电致发光器件的阳极，其特征在于：所述阳极为多晶硅和金属硅化物的复合材料，该复合材料厚度为5nm‑100nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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