[发明专利]一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010146780.2 申请日: 2010-04-14
公开(公告)号: CN101853894A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 付姚;罗昔贤;彭勇;于涛;冯威 申请(专利权)人: 大连海事大学
主分类号: H01L31/109 分类号: H01L31/109;H01L31/0264;H01L31/18
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 李洪福
地址: 116026 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法,所述的探测器包括玻璃基底、导电薄膜,所述的玻璃基底是石英玻璃基底,所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的NiO-TiO2纳米线异质结阵列和至少一个N型欧姆电极,所述的NiO-TiO2纳米线异质结阵列上有至少一个P型欧姆电极。所述的制备方法,包括在导电薄膜上制备NiO-TiO2纳米线异质结阵列并在NiO-TiO2纳米线异质结阵列上制备P型欧姆电极和在导电薄膜上制作N型欧姆电极。本发明的核心结构由TiO2纳米线阵列和NiO纳米线阵列通过线-线对接构成纳米线异质结阵列结构,具有外量子效率和灵敏度高、响应速度快、暗电流小、体积小巧等诸多优点。
搜索关键词: 一种 纳米 线异质结 阵列 紫外光 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器,包括玻璃基底(1)、导电薄膜(2),所述的导电薄膜(2)位于玻璃基底(1)上;其特征在于:所述的玻璃基底(1)是石英玻璃基底(1),所述的导电薄膜(2)上有作为紫外光吸收层的NiO-TiO2纳米线异质结阵列(3)和至少一个N型欧姆电极(5),所述的NiO-TiO2纳米线异质结阵列(3)上有至少一个P型欧姆电极(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连海事大学,未经大连海事大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010146780.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top