[发明专利]耐候型微触发可控硅及其制造方法无效
| 申请号： | 201010147488.2 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101814496A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李文广;周远铸 | 申请（专利权）人： | 厦门泰格微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/74;H01L21/77;H01L21/332 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐候型微触发可控硅，该耐候型微触发可控硅为PNP结构，所述PNP结构的一侧P型硅上设有N+发射区和门极电极，在所述N+发射区上设置有阴极电极，所述PNP结构的另一侧P型硅上设置有阳极电极。PNP结构内部设有横向集成电阻，所述横向集成电阻是负温度系数型热敏电阻，并且连接于所述门极电极和阴极电极之间。本发明耐候型微触发可控硅具有根据其所处的外在气候/环境温度、或对其自身工作温度变化进行自适应且适时调整匹配的技术特性，具有抗温度干扰/抗电磁干扰的能力。此外，本发明还公开了一种耐候型微触发可控硅的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 耐候型微 触发 可控硅 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种耐候型微触发可控硅，为PNP结构，所述PNP结构的一侧P型硅上设有N+发射区和门极电极，在所述N+发射区上设置有阴极电极，所述PNP结构的另一侧P型硅上设置有阳极电极，其特征在于：所述PNP结构内部设有横向集成电阻，所述横向集成电阻是负温度系数型热敏电阻，并且连接于所述门极电极和阴极电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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