[发明专利]一种新型高效三结硅薄膜太阳电池无效
申请号: | 201010148323.7 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN102222708A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 孙福河;罗培青;章昌台;高石崇;郑加镇;訾威 | 申请(专利权)人: | 江苏百世德太阳能高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/028 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215104 江苏省苏州市吴中区吴中大*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种新型高效三结硅薄膜太阳电池,包括非晶硅顶电池、微晶硅中间电池、微晶硅锗底电池三结电池结构,且所述电池的结构均为P/I/N型;所述非晶硅顶电池的上部设置有透明导电玻璃衬底;所述微晶硅锗底电池的下部依次设置有透明导电薄膜和金属层;本发明利用一种窄带隙可调(1.1eV-0.66eV)的低缺陷微晶硅锗薄膜,制备吸收系数高、光谱响应范围宽的微晶硅锗底电池,可大幅度增加对长波长太阳光的吸收,拓展太阳电池的光谱响应范围,更充分地提高太阳电池的吸收效率和光电转换效率,同时,降低了电池厚度,成为解决当前硅薄膜电池效率低,稳定性差等问题的重要途径,对引领本产业的发展,对本产业科技推动以及社会经济效益有着非常重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 高效 三结硅 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种新型高效三结硅薄膜太阳电池,其特征在于:包括非晶硅顶电池、微晶硅中间电池、微晶硅锗底电池三结电池结构,且所述电池的结构均为P/I/N型;所述非晶硅顶电池的上部设置有透明导电玻璃衬底;所述微晶硅锗底电池的下部依次设置有透明导电薄膜和金属层;所述透明导电玻璃衬底为SnO2或ZnO;所述透明导电薄膜为ZnO;所述金属层为Al或Ag。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏百世德太阳能高科技有限公司,未经江苏百世德太阳能高科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010148323.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的