[发明专利]一种新型高效三结硅薄膜太阳电池无效

专利信息
申请号: 201010148323.7 申请日: 2010-04-16
公开(公告)号: CN102222708A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 孙福河;罗培青;章昌台;高石崇;郑加镇;訾威 申请(专利权)人: 江苏百世德太阳能高科技有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/028
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215104 江苏省苏州市吴中区吴中大*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种新型高效三结硅薄膜太阳电池,包括非晶硅顶电池、微晶硅中间电池、微晶硅锗底电池三结电池结构,且所述电池的结构均为P/I/N型;所述非晶硅顶电池的上部设置有透明导电玻璃衬底;所述微晶硅锗底电池的下部依次设置有透明导电薄膜和金属层;本发明利用一种窄带隙可调(1.1eV-0.66eV)的低缺陷微晶硅锗薄膜,制备吸收系数高、光谱响应范围宽的微晶硅锗底电池,可大幅度增加对长波长太阳光的吸收,拓展太阳电池的光谱响应范围,更充分地提高太阳电池的吸收效率和光电转换效率,同时,降低了电池厚度,成为解决当前硅薄膜电池效率低,稳定性差等问题的重要途径,对引领本产业的发展,对本产业科技推动以及社会经济效益有着非常重要的意义。
搜索关键词: 一种 新型 高效 三结硅 薄膜 太阳电池
【主权项】:
一种新型高效三结硅薄膜太阳电池,其特征在于:包括非晶硅顶电池、微晶硅中间电池、微晶硅锗底电池三结电池结构,且所述电池的结构均为P/I/N型;所述非晶硅顶电池的上部设置有透明导电玻璃衬底;所述微晶硅锗底电池的下部依次设置有透明导电薄膜和金属层;所述透明导电玻璃衬底为SnO2或ZnO;所述透明导电薄膜为ZnO;所述金属层为Al或Ag。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏百世德太阳能高科技有限公司,未经江苏百世德太阳能高科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010148323.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top