[发明专利]通过施加P-衬底偏压和调节阈值电压提高磁性隧道结的编程电流在审
| 申请号： | 201010148508.8 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101867015A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 庄建祥;钟道文;林春荣;王郁仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 孙征;陆鑫 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种操作磁阻性随机存取存储器(MRAM)单元的方法包括：设置MRAM单元，该MRAM单元包括磁性隧道结(MTJ)器件和具有串联至MTJ器件的源-漏路径的字线选择器。负衬底偏压连接至字线选择器的主体，以增大字线选择器的驱动电流。还减小字线选择器的阈值电压。本发明还公开了一种通过施加P-衬底偏压和调节阈值电压提高磁性隧道结的编程电流的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 施加 衬底 偏压 调节 阈值 电压 提高 磁性 隧道 编程 电流 | ||
【主权项】：
一种操作磁阻性随机存取存储器(MRAM)单元的方法，所述方法包括：设置所述MRAM单元，所述MRAM单元包括：磁性隧道结(MTJ)器件；以及字线选择器，包括串联至所述MTJ器件的源-漏路径；以及将负衬底偏压连接至所述字线选择器的主体。
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