[发明专利]半导体存储设备的数据输出电路有效

专利信息
申请号: 201010148559.0 申请日: 2010-04-16
公开(公告)号: CN102194510A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 金光现;李康悦 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/22
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 黄启行
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 半导体存储设备的数据输出电路,包括:管道锁存单元,配置为储存输入的并行数据,并且响应于多个对齐控制信号而对储存的数据进行对齐以输出串行输出数据;以及对齐控制信号发生单元,配置为响应于突发类型信息和种子地址组,产生所述多个对齐控制信号,其中,所述对齐控制信号发生单元产生所述对齐控制信号,以在交换模式中对数据进行交换,在该交换模式中,突发类型为某种类型并且种子地址组的位具有某种值。
搜索关键词: 半导体 存储 设备 数据 输出 电路
【主权项】:
一种半导体存储设备的数据输出电路,包括:管道锁存单元,配置为储存输入的并行数据,并且响应于多个对齐控制信号而对储存的数据进行对齐以输出串行输出数据;以及对齐控制信号发生单元,配置为响应于突发类型信息和种子地址组,产生所述多个对齐控制信号,其中,所述对齐控制信号发生单元产生所述对齐控制信号,以在交换模式中对数据进行交换,在该交换模式中,所述突发类型为某种类型并且所述种子地址组的位具有某种值。
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