[发明专利]一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管

摘要

本发明属于薄膜晶体管技术领域，涉及一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管结构。本发明以氧化物半导体薄膜为沟道层，以有机介质薄膜为栅介质层，以透明导电氧化物薄膜为栅电极、源电极和漏电极，构成混合型薄膜晶体管结构。本发明的薄膜晶体管以玻璃或柔性衬底为基底，采用真空镀膜技术制备宽禁带氧化物半导体沟道层，采用旋涂法或浸渍提拉法制备有机介质层，采用真空镀膜方法制备透明导电氧化物薄膜栅电极、源电极和漏电极。本发明制备的混合型薄膜晶体管具有制备温度低、载流子迁移率高、电流开关比高等特性，在平板显示和透明电子学等领域具有良好的应用潜能。

主权项

一种薄膜晶体管，包括基板，分别形成于基板上方的栅、源和漏电极，用于隔离栅电极与源/漏电极的栅介质层，以及用于连接源电极和漏电极的氧化物半导体沟道层；其特征在于所述栅介质层为有机介质层；所述氧化物半导体沟道层为非晶或多晶宽禁带氧化物半导体层；所述栅电极、源电极和漏电极由透明导电氧化物构成。